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钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线
所属：书刊快递 日期：2009-11-13 点击次数：817 次
薛成山 李红 庄惠照 陈金华 杨兆柱 秦丽霞 王英 王邹平 山东师范大学,山东济南250014
摘 要：利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明：制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60nm,其最大长度可达10μm左右。室温下光致发光谱测试发现363nm处的较强紫外发光峰。另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制。
来 源：《 稀有金属材料与工程 》2009年7期
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